Simcenter T3STER SI

T3STER SI 為全新設計，不同以往 T3Ster 的硬體架構和軟體操作。

- 可自行依喜好搭配使用通道，不再局限於硬體限制。
- 更高的量測解析度和輸出功率。
- 更直觀簡單的軟體操作介面。
- 可使用瀏覽器 Chrome 及網路控制其系統。

更多訊息 : Siemens - Simcenter T3STER

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技術規格

• 更直觀簡易的軟體操作介面，並可用適當網路及瀏覽器進行控制。 

在 T3Ster SI 的硬體框架當中，讓客戶隨意自由的搭配加熱電流及量測電流的數量

• 最多可以容納 10 個 PIU
  
• 最多可以搭配到 5 個加熱電流
  
• 最多可以搭配到 40 個量測電流

T3Ster SI LP220，heating current source unit，佔 2 個 PIU
規格：

• 2 個加熱電流輸出 (MAX.20W)

          - 2A / 10V
          - 1A / 20V
          - 0.5A / 40V

• 兩輸出通道為同一接地

T3Ster SI MS401，measure current source unit，佔 1 個 PIU
規格：

• 4 個瞬態測量通道

         - 1M sample / s採樣率
         - 0.002°C Resolution
         - 0.025°C RMS

• 4個感應電流源

         - 200mA / 10V
         - 100mA / 20V
         - 50mA / 40V

• 每通道為獨立接地

T3Ster SI 目前現況

T3Ster SI 未來發展

• 尚不支援 TeraLED、Dyn-TIM 及 Booster
  
• 可量測元件 : Diode or Two-pole device、LED

• 支援大電流 Booster (50A/30V、240A/11V)
  
• 可量測元件 : Diode、LED、MOSFET、IGBT
  
• 可串聯 2 台 T3Ster SI 使其增加為 20 個 PIU，針對多核 IC 的量測更為便利，量測輸出更為快速

展覽現場 T3STER SI 照片