Simcenter T3STER SI

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T3Ster SI 為全新設計，和 T3Ster 截然不同的架構，全新的硬體設計和軟體的操作。

- 可利用瀏覽器 Chrome 及相同的網域進行軟體的操作。
- 靈活自由的大小電配置，實現多核 IC 的量測。
- 更高的量測解析度和輸出功率。
- 更自由簡單的軟體操作。

更多訊息 : Siemens - Simcenter T3STER
技術規格
  • 更直觀簡易的操作介面，且可以透過 Chrome 進行操作。 
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在 T3Ster SI 的硬體框架當中，讓客戶隨意自由的搭配加熱電流及量測電流的數量
  • 最多可以容納 10 個 PIU
  • 最多可以搭配到 5 個加熱電流
  • 最多可以搭配到 40 個量測電流
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T3Ster SI LP220，heating current source unit，佔 2 個 PIU
規格：
  • 2 個加熱電流輸出 (MAX.20W)
          - 2A / 10V
          - 1A / 20V
          - 0.5A / 40V
  • 兩輸出通道為同一接地
T3Ster SI MS401，measure current source unit，佔 1 個 PIU
規格：
  • 4 個瞬態測量通道
         - 1M sample / s採樣率
         - 0.002°C Resolution
         - 0.025°C RMS
  • 4個感應電流源
         - 200mA / 10V
         - 100mA / 20V
         - 50mA / 40V
  • 每通道為獨立接地
T3Ster SI 與 Booster 240A / 11V 整合
  • 近乎所有 2-Pole / 3-Pole 的元件皆可測試
  • 從離散元件到模組皆可，不管單核或多核
  • 簡易的 Power Cycling
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