使用工具 : T3Ster + T3Ster Master
伴隨著科技的日新月異,在現行半導體元件,如 MOSFET,體積愈來愈小的趨勢底下,元件熱特性亦愈加受到各元件設計及封裝供應商的關注和探討。如何在量產前快速檢驗兩顆不同元件在整體熱阻上的差異及又到底是封裝結構中的哪層材料或是 chip 造成整體的差異。上述的結果可經由 T3Ster 設備的量測快速的得知,進而達到降低成本,提高產品品質,節省時間的目的。
未知但相同封裝形式的 MOSFET
量測方式
量測條件
TSP Calibration
Junction 溫度差異比較
整體熱阻比較
各層熱阻差異比較 - Chip
各層熱阻差異比較 - Die Attached
結論
1. 此兩顆元件的整體熱阻差異為 2.38 K/W 和 3.95 K/W。
2. 藉由所量測出的結構函數,可以判斷各封裝層間熱阻細小的差異,並判斷其封裝的好壞。
3. 以上資訊皆可藉由 T3Ster 量測後快速得知。
2. 藉由所量測出的結構函數,可以判斷各封裝層間熱阻細小的差異,並判斷其封裝的好壞。
3. 以上資訊皆可藉由 T3Ster 量測後快速得知。