GaN HEMT 元件 Rthjc 熱阻量測分析

什麼是 GaN HEMT ?

矽基板的 GaN 功率元件係採用氮化鎵 (GaN) 作為電流通過路徑的功率元件 (HEMT)。氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 皆為寬能隙 (WBG) 的材料，與 SiC 相比除了製程不同外，此種元件結構配備高電子遷移率通道、更高的介電強度、高頻指標即可耐受溫度等優勢。

主要的應用領域

可應用於 5G 技術、3C 產品快充、高頻功率放大器、高功率密度需求的電源系統等。

元件描述

Sample 1 (w/o PCB)

Sample 2 (w/ PCB)

測試條件說明

測試結果

Sample 1

Sample 2

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