高精度半導體暫態熱特性量測系統
Simcenter Micred T3Ster SI 是 Siemens Simcenter Micred 系列的高精度半導體暫態熱量測（Transient Thermal Measurement）系統，主要用於 IC、功率半導體與電子封裝的熱特性分析。它利用元件本身的溫度敏感電性參數量測 Junction Temperature，並記錄加熱或冷卻過程中的暫態熱響應，可取得熱阻、熱阻抗及 Structure Function 等資訊，以非破壞方式深入分析從晶片接面到環境的完整熱傳路徑。
可選購配件
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增壓穩壓系統 (240A/11V)
T3Ster Booster (240A/11V) 是 T3Ster SI 的高電流功率擴充設備，提供最高 240A 加熱能力，讓 T3Ster SI 能進一步進行 IGBT、MOSFET、功率模組及高功率晶片的精密暫態熱特性量測。
自然對流箱
Simcenter Micred T3Ster Still Air Chamber（自然對流測試腔體） 是專為 T3Ster / T3Ster SI 暫態熱阻量測系統設計的標準化測試環境，主要用於半導體元件在無強制氣流、自然對流（Natural Convection）條件下的熱特性量測。其設計符合 JEDEC JESD51-2 / JESD51-2A 自然對流環境相關規範，可提供穩定且可重複的測試邊界條件。
雙面冷板
Simcenter Micred T3Ster Dual Cold Plate（雙冷板） 是專為 T3Ster / T3Ster SI 暫態熱阻量測系統設計的液冷式測試平台，主要用於半導體元件的校正、受控溫度測試，以及 Junction-to-Case（接面至外殼）熱阻量測。雙冷板由兩個相同的冷板組成，可提供高熱傳係數與穩定的熱邊界條件，兩片冷板亦可拆開獨立使用。