使用工具 : T3Ster
前言
目前 Power MOSFET 的熱阻量測需求有越來越多的趨勢,本案例採用 MOS-Diode 及 Rds_on 的模式進行量測,包括元件的 K Factor,輸入適當電流使溫升達到 120°C 以上,紀錄冷卻過程的溫度變化,再藉由軟件分析整體熱阻表現。另外,利用改變不同的介面材料分析 Rthjb,同時將元件置於 Still Air Chamber 中量測 Rthja。
說明
測試結果
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